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PCB線路板工藝 芯片封裝技術詳解

發(fā)布時間:2021-10-06 21:20:09

1、BGA(ball grid array)   也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 

    

該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的,首先在便攜式電話等設備中被采用,隨后在個人計算機中普及。最初,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225。現(xiàn)在也有一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC。


2、C-(ceramic)      表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

 

3、COB(chip on board)   板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電 氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術, 但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。

PCBA<a href=http://www.xiuchufan.com/ target=_blank class=infotextkey>加工</a>

4、DIP(dual in-line package)  
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。歐洲半 導體廠家多用DIL。 
DIP 是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距 2.54mm,引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為SK-DIP(skinny dual in-line package) 和SL-DIP(slim dual in-line package)窄體型DIP。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為Cerdip(見4.2)。


4.1 DIC(dual in-line ceramic package)     陶瓷封裝的DIP(含玻璃密封)的別稱。 

 

4.2 Cerdip:用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距 2.54mm,引腳數(shù)從8 到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

  

4.3 SDIP (shrink dual in-line package)   收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm) 因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。有陶瓷和塑料兩種。又稱SH-DIP(shrink dual in-line package)


5、flip-chip  
倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點,然后把金屬凸點與印 刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最 小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同,就會在接合處產生反應,從而影響連 接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。 

6、FP(flat package)  
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用 此名稱。 


7、H-(with heat sink)  
表示帶散熱器的標記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。 

 

8、MCM(multi-chip module)  
多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為 MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大類。MCM-L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。  MCM-C 是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多 層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。MCM-D 是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。 布 線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。


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